HEIMPRODUKTELORA- UND LORAWAN-MODULE (SPI) LORA1121F33-1G9 HOCHLEISTUNGSMODUL FüR DRAHTLOSE K...
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation
LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation

LORA1121F33-1G9 Hochleistungsmodul für drahtlose Kommunikation

Das LORA1121F33-1G9-Modul basiert auf Semtechs LR1121-Chip, einem ultra-niedrigen Strom, Langstreckentransceiver, der Sub-GHz und satellitenverbundene S-Band-Kommunikation unterstützt. Die Lora1121f33-1g9 unterstützt Lora, (G) FSK-Modulation, Sigfox-Protokoll und LR-FHSS. Es ist mit dem Lorawan -Kommunikationsprotokoll kompatibel und kann als Lorawan -Knoten fungieren. Darüber hinaus bietet es flexible Konfigurationsoptionen, um die Anforderungen verschiedener Anwendungen und proprietärer Protokolle zu erfüllen.


Parameter

Testbedingung

Min.

Typ.

Max

Einheit

Spannungsbereich


3.0

5

5.5

V

Betriebstemperatur


-40

25

85

Maximales Eingangssignal



10


DBM

Aktueller Verbrauch

Strom übertragen

@433MHz


<900


ma

@1,9GHz


<750


ma

Strom erhalten



<9


ma

Schlafstrom



<18


ua

HF -Parameter

Frequenzbereich

@433MHz

400


470

MHz

@470MHz

470


510

MHz

@868MHz

850


890

MHz

@915MHz

900


940

MHz

Strom übertragen

@Sub-GHz

20


33

DBM

@S Frequenzband

17


29

DBM

Empfindlichkeit erhalten

BW = 62,5 kHz, SF = 12

@Sub-GHz


-142


DBM

BW = 125 kHz, SF = 12

@S Frequenzband


-132


DBM

Frequenzfehler



10


ppm

Modulationsrate (@sub-GHz)

@Lora

0,091


62,5

Kbps

@Fsk

0,6


300

Kbps

Modulationsrate (@S -Frequenzbänder

@Lora

0,292


87,5

Kbps


Merkmale

  • Sub-GHz-Banden: 433/470MHz 2W

  • Sub-GHz-Banden: 868/915MHz 1W (anpassbar: 150 ~ 960 MHz)

  • S Band: 1900 MHz ~ 2000MHz 1W (anpassbare 2,4 g Hochleistungs)

  • S Bandempfindlichkeit: bis zu -132 dbm @ bw = 125 kHz, SF = 12

  • Sub-GHz-Empfangsempfindlichkeit: bis zu 144dbm @ bw = 62,5 kHz, SF = 12

  • Elektrostatischer Schutz (ESD)

  • Unterstützt LR-FHSS

  • Unterstützt das Lorawan- und Sigfox -Protokoll

  • Unterstützt die Verschlüsselung und Entschlüsselung von AES-128

  • Die Sub-GHz-Übertragung übersteigt in offenen Bereichen 10 km

  • Schlafstrom <18 um

  • Aktuelle <9ma erhalten

  • Kleine Größe, Stempellochdesign

    Anwendungen

  • Drohnen

  • Fernbewässerung

  • Smart Home/Smart Agriculture

  • Industrielle Fertigung






图片 .png

图片 .png

Pin -Nr.

Pin -Name

E/O

Beschreibung

Pin -Nr.

1

VCC



Verbinden Sie sich mit der positiven Stromversorgung

2,3,4,6,7,8,11

GND



Schließen Sie sich mit der negativen Stromversorgung an

5

Ce

ICH

0-5.5V

Interner LDO aktivieren Sie den Steuerstift, ziehen Sie hoch oder lassen Sie das Schweben, um zu operieren, und stellen Sie für den Schlafmodus eine Verbindung zum Boden an. Intern gezogen

9

Ant_1g9



1,9 GHz-Antennenschnittstelle, externe 50-Ohm-Antenne

10

AMEISE



Sub-G-Antennenschnittstelle, externe 50-Ohm-Antenne

12

Sck

ICH

0-3.3v

SPI -Uhr -Eingabe

13

NSS

ICH

0-3.3v

SPI -Chip wählen Sie Eingabe aus

14

BESCHÄFTIGT

O

0-3.3v

Verwendet für die Statusanzeige finden Sie im Chip -Datenblatt Details

15

Mosi

ICH

0-3.3v

SPI -Dateneingabe

16

Miso

O

0-3.3v

SPI -Datenausgabe

17

ZURÜCKSETZEN

ICH

0-3.3v

RETTET -Triggereingabe zurücksetzen, finden Sie im Chip -Datenblatt für Details

18

Irq

O

0-3.3v

Mehrzwecke digitale Schnittstelle finden Sie im Chip -Datenblatt für Details


图片 .png

Kontaktieren Sie uns
Datenschutzrichtlinie

Datenschutzrichtlinie

· Datenschutzrichtlinie

Derzeit sind keine Inhalte verfügbar


           

E-Mail: sales@nicerf.com

Tel.:+86-755-23080616

Adresse: 309-314, 3/F, Gebäude A, Hongdu-Geschäftsgebäude, Zone 43, Baoan Dist, Shenzhen, China


×
Einreichen