RF3120F27: 800 mW drahtloses Transceiver-Modul 0,5 ppm TCXO-Quarzoszillator

Betriebszustand

Betriebsspannung

2

3.3

3. 6

V

Modul +3,3 V-Pin

3.3

4.0

5,0

V

Modul VCC_PA-Pin

Temperaturbereich

-40

85

℃

Stromverbrauch

RX-Strom

6.1

mA

@DCDC -Modus

<10

mA

@LDO -Modus

TX-Strom

<700

mA

@5V,29dBm

Schlafstrom

1

uA

RF-Parameter

Frequenzbereich

40 0

433

4 70

MHz

@433MHz

470

490

510

MHz

@4 7 0MHz

850

868

890

MHz

@ 868 MHz

900

915

930

MHz

@ 915 MHz

Modulationsrate

2

500

Kbps

2(G)FSK

Ausgangsleistung

9

2 9

dBm

@4,2 V

Empfangsempfindlichkeit

-1 24

dBm

@ DR=2,4 Kpbs, Fdev=1,2 kHz

1

+3,3 V

Interner Chip-Stromversorgungspin mit einem Spannungsbereich von 2,0–3,6 V

2,8,10​

GND

Minuspol der externen Stromversorgung

3

IO2

0–3,3 V

Verbinden Sie sich mit dem GPI O02- Pin des Chips  . Informationen zu spezifischen Funktionen finden Sie im Chip-Datenblatt.

4

IO1

0–3,3 V

Verbinden Sie sich mit dem GPI O01- Pin des Chips  . Informationen zu spezifischen Funktionen finden Sie im Chip-Datenblatt.

5,6

NC

7

VCC_PA

Interner Stromversorgungspin des Leistungsverstärkers, empfohlene Spannung: 3,7–5,0 V. Höhere Spannung führt zu höherer Ausgangsleistung

9

AMEISE

Anschluss an eine externe 50Ω-Antenne

11

IRQ

0–3,3 V

Unterbrechungssignal

12

MOSI

0–3,3 V

SPI-Dateneingangssignal

13

MISO

0–3,3 V

SPI-Datenausgangssignal

14

SCK

0–3,3 V

SPI-Serieller Takt

15

CSN

0–3,3 V

SPI-Chip-Auswahlsignal

16

NRESET

0–3,3 V

PIN zurücksetzen